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濕法蝕刻新型GaN金字塔微腔的高Q值光泵激射

來源: X-MOL 2017-08-28 15:05:41

光學微腔在理論和實際應用中都有很大的研究意義。比如光子與激子的弱、強耦合作用,耦合動力學或相干態極子激射。光學微腔能在空間層面限制光而形成駐波,在微腔激光器中具有重要作用,例如F-B諧振腔激光器、微盤激光器及光子晶體激光器。氮化物光學微腔也有諸多報道,為了形成良好的光學限制,對于在藍寶石襯底上外延的GaN,由于藍寶石較難被化學溶液蝕刻,人們一般通過ICP干刻的方法得到設計的微腔結構(如微盤、微環)后,再通過特別設計的光電化學蝕刻方法(PEC)蝕刻底切特殊設計生長的GaN外延結構(如InGaN/GaN超晶格層等)。堪薩斯大學的H. X. Jiang團隊直接在圖案化的藍寶石襯底上生長得到大尺寸(~8 μm)的金字塔光學微腔,而香港大學的Choi團隊則報道了底部為Ag和ITO反射鏡的干法ICP刻蝕光學微盤腔光泵激射,其Q值分別為1673和770。


近日,中南大學、中科院半導體研究所、南方科技大學等單位的研究人員報道了一種新型的基于全濕法化學腐蝕獲得高品質因子的垂直結構金字塔GaN光學微腔。他們在紫外常溫光泵下觀察到多模式激射,如在367.2 nm波長的模式激射,具有低閾值(0.4–0.5 MW/cm2)、窄線寬(0.054 nm)和高品質因子(超過6000)。這種高性能的光學GaN微腔主要受益于其獨特的微米金字塔制備方式。相比已報道GaN微腔,這種新型的金字塔微腔具有以下特點:1. 傳統GaN微腔制造一般通過干法蝕刻得到,有損材料的晶體質量。此金字塔微腔完全為濕法化學蝕刻得到,能在一定程度上“過濾”材料位錯和缺陷,從而提高其晶體質量;2. 由濕法蝕刻得到的金字塔微腔具有光滑的晶面,與底部的Ag基反射鏡可共同形成良好的光學限制,無需傳統GaN微腔制備的復雜底切蝕刻工藝。


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